A032103电子工业专用生产设备

光电材料与国家重点实验室拟采购原子层沉积系统一套。主要技术指标： 1、样品台为4英寸双腔腔体，加热温度室温至500℃可控，控制精度±1℃。 2、4路液源，2路载气辅助源。 3、设备本底真空小于等于1 Pa，腔体漏率小于等于5×10 -10Pa·m3/s。 4、5路金属前驱体源输送管路，加热源3路，载气辅助源2路，配备载气管路和质量流量控制器。 5、金属前驱体源输送管路均包裹在加热套中，最高加热温度250℃。配置温度传感器，温度控制精度满足±1℃。 6、每路管路配备ALD专用阀门，带吹扫功能，响应时间小于5ms，耐温200℃，包定制加热和保温装置，最高加热温度200℃，温度控制精度±1℃。 7、每路加热源输送管路和载气辅助源输送系统，分别配备1个ALD专用阀门、1套加热源容器以及加热保温系统。最高加热温度250℃，温度控制精度±1℃。 8、所有气体管路连接处采用金属VCR密封；载气管路采用N2或者Ar气体，通过质量流量控制器控制；配备惰性气体自清洗系统，可根据需求设置自动清洗的次数。 9、采用电感耦合等离子体(ICP)发生器，电极与衬底距离不小于70 mm。 10、提供 2 路可用于等离子体工艺气路，包含 ALD 专用隔膜阀和流量控制器。 11、采用13.56 MHz射频电源，功率1%-100%可调，配备自动匹配器，匹配时间优于5秒。 12、配备臭氧发生器、臭氧破坏器、控制臭氧的质量流量控制器；臭氧发生器产量最高可达10 g/h，浓度可达100 g/m3；臭氧发生器采用风冷方式无需配备冷却水； 13、真空泵采用双级油封式真空泵，抽速不低于90 m3/h；真空测量：配备压力传感器，检测范围：5×10-4~1000 mbar；真空抽气管道可以烘烤至150℃，且真空泵前级配置热阱，加热温度最高300℃，控制精度±1℃； 14、验收指标：厂家须提供氧化铝薄膜的标准工艺配方按以下内容进行现场制备与验收；薄膜均匀性：在4英寸晶圆上沉积约50nm厚氧化铝，以晶圆上5个均匀分散点（上、下、左、右、中心5点，每两点间距不小于15毫米）进行椭偏仪测试膜厚，4英寸晶圆上薄膜均匀性≤±1%。 交付时间：合同签订或收到发货通知30天内。交付地点：中山大学广州校区大学城校园纳米楼。售后服务要求：3年质保期。对所提供的货物在质保期内，因产品质量而导致的缺陷，必须免费提供包修、包换、包退服务。