A02000000-设备_A02330000-电工、电子生产设备_A02330300-电子工业生产设备

设备用于异质键合工艺前，对金刚石，蓝宝石，碳化硅，氮化镓等基底材料背面减薄到一定厚度（一般为100μm以下），然后通过等离子刻蚀工艺在材料基底刻蚀通孔，之后使用电镀工艺将晶圆正面电路Pad和减薄过后的背面联通，并在基底背面制作电路，以便实现散热，并进一步实现和异质材料的键合，实现三维垂直结构的异质集成电路。需要键合在一起的异质材料厚度必须达到非常的低，平整度TTV必须达到实现键合的晶圆尺寸误差范围内。还有一种异质键合工艺，即在要实现异质材料上外延缓冲层，然后进行CMP后实现缓冲层异质键合，为了满足CMP工艺的需要，必须经过减薄工艺实现高精度TTV。