A02052402真空应用设备

高品质大尺寸半导体单晶金刚石的制备一直是金刚石迈向第三代半导体应用的尚未解决的瓶颈问题，是本实验室的研究重点，也是世界性的研究难点。当前市场上的微波等离子体化学气相沉积设备生长金刚石的尺寸通常被限制在2英寸附近，而要将单晶金刚石应用于半导体领域，其尺寸要达到3-4英寸，所以购买的单晶金刚石生长系统的等离子球的尺寸需达到4英寸，具有制备3-4英寸不同类型金刚石半导体的能力，微波功率0.6—10kW可调，真空漏率小于5.0*10-11 Pa*m3/s，辉光面积4英寸，生长衬底托4英寸，并且生长样品中心与边缘的温度差小于5%，满足未来金刚石半导体的产业发展需求。预购买四英寸单晶金刚石共掺杂生长系统一台，满足制备高品质、大尺寸单晶金刚石的要求。该设备厂家60天可发货，质保期货到验收合格之日起12个月，厂家负责安装及培训。设备购置后将针对单晶金刚石在半导体应用方面开展技术攻关，对学校学科建设及人才培养等起到推动作用，极大提升本实验室在国内外的影响力。并对国内相关技术的提升将起到较大的引领作用，极大地提高我国第三代半导体的核心竞争力。