A032199-其他电工、电子专用生产设备

本设备与12英寸芯片至晶圆微米级混合键合一体机配套，为12英寸设备，对重构芯片晶圆与待键合晶圆实施表面Cu-SiO2形貌控制，面向下一代三维集成的超细节距与多层堆叠需求，使用本设备将芯片和晶圆表面介质层氧化硅表面粗糙度Ra控制在0.5nm以下， 铜焊盘凹陷尺寸控制在10nm以下，以利于重构晶圆即芯片至晶圆混合键合以及后续多层芯片混合键合，该技术为成套技术核心设备，必须位于同一高洁净度试验室，项目需利用此设备开展晶圆表面异质材料表面化学机械抛光技术研究和工艺开发，支撑芯片至晶圆混合键合技术和工艺开发。