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国产硅光有源40nm包晶圆流片加工技术服务，需完成定制化芯片流片服务，并交付22张晶圆。 总体要求：(1)完成光调制器、光探测器等硅基有源基本单元器件以及光波导、光相移器等硅基无源单元器件制备；(2)实现实现大规模硅基有源光子集成芯片制备。 技术要求：本项目采购内容为硅光工艺平台包晶圆流片加工服务 1 次，按甲方提供的 GDS/OAS 版图完成芯片加工制造并交付22 张整片晶圆（不划片）。流片工艺须满足平台对“三层波导刻蚀、SiNx（SiN）波导及多层金属互连”的能力范围与工艺规则要求。 芯片版图主要包含（但不限于）以下工艺模块/图层： 1. 硅波导层：包含光栅耦合器（WG1）、脊型波导（WG2）与平板/全刻波导（WG3）等波导结构；其中脊型波导（WG2CORE）最小线宽≥0.15 μm，最小间距≥0.15 μm。 2. Si 掺杂注入层（用于 PN/PIN 及接触区）：包含 N 注入（NW）、P 注入（BF）、N+ 注入（NLH）、P+ 注入（PLH）、N++ 接触注入（JX）、P++ 接触注入（JZ）以及 LPIN 相关注入（PDI/PDW）等，用于实现调制器/探测器等有源器件结构。 3. Ge 外延及 Ge 区域相关层：包含 Ge 外延窗口（CODR）及相关注入/结构模块，用于 Ge 器件（如探测器）实现。 4. 接触孔/通孔层：包含 Si/Ge 接触孔 CA（接触孔尺寸 0.4 μm×0.4 μm，且为正交矩形），用于实现 Si/Ge 与金属互连的电连接。 5. 加热器及其供电互连：包含 TiN 加热器层 HT 及其对准标记 ZM，并通过金属互连实现加热器直流供电与引出。 6. 金属互连与焊盘/开窗：包含三层金属互连 EA/EB/ED 及层间通孔 YA/YB，并包含顶层焊盘金属 LB、钝化开窗 DV（焊盘开窗）与 LV（边耦合器开窗）等，用于实现器件电连接与测试/键合。 以上版图应满足 NOEIC TD-40SP 工艺设计规则（DRC）要求，能够完成光子器件（波导、耦合器）及有源器件（基于 Si/Ge 的调制器/探测器、加热器等）在同一平台上的制造与互连，并按约定交付整片晶圆。 指标要求：单元器件性能指标达到PDK所列指标。 证明材料要求：由代工厂提供内部设计与测试文档。