A02330300 电子工业生产设备

深硅刻蚀设备是MEMS领域关键设备，与传统集成电路刻蚀设备对线宽要求不同，其要求更高的刻蚀速率、更好的刻蚀均匀性以及直、斜孔刻蚀形貌的控制能力。深硅感应耦合等离子刻蚀机在刻蚀过程中实现高效耦合及稳定起辉的性能，能实现高均匀性、高精度、良好的重复性，充分保障我校科研工作有序开展。在其各部件中，反应系统密封性能高，保证了低的真空泄漏率；稳定的ICP源和射频功率源在低压具有稳定可靠的起辉性能；采用高稳定性电感耦合等离子体源，能实现8英寸晶圆各向异性的高速率刻蚀。系统全自动控制，刻蚀深度大于100微米，刻蚀全过程中的工艺气体进气精度不低于±1%、重复性不低于±0.2%，真空泵保证稳定的抽速，电感耦合刻蚀可在最低2mTorr气压下刻蚀以及成熟的控制系统