A02330300电子工业生产设备

氮化硅沉积机：数量：1台。在光电子芯片研发平台中，主要用于沉积高质量氮化硅介质薄膜。氮化硅薄膜后期经过流片加工后制备高兼容性氮化硅光电混合集成芯片，例如波分复用、数字光互联、光载微波、光电信号处理，激光雷达等芯片。衬底材料的沉积对于光电子芯片研发平台是流片原料，是基本组成部分；技术要求：支持8inch Wafer，均匀性优于5%，配有loadlock自动进样，双射频源，电感耦合射频源功率≥3kW,偏压射频源≥1000W，下电极控温范围包括20℃~150℃，沉积速率>100nm/min，折射率2.0可调，标准BOE腐蚀速率<20nm/min；交付时间要求：8个月；交付地点要求：广州市中山大学东校区纳米楼；售后服务要求：若设备出现故障，卖方在接到买方通知后，2小时内做出故障维修实质性响应，若通过电话、邮件等仍不能解决问题的，卖方售后服务人员（或维修工程师）在48小时内到达买方现场提供设备维修服务。质保期内提供设备例行保养、设备维护及培训等服务。