A02052402真空应用设备

金刚石是自然界中存在的最优异的材料，集众多性能于一体，被称为具有极限功能的第三代半导体材料，在高端技术和现代国防领域具有巨大的应用潜力。但是，大尺寸单晶金刚石晶圆的制备一直是制约金刚石在半导体领域应用的瓶颈，是本实验室的研究重点，也是世界性的研究难点。据报道，当前世界范围内实现大尺寸单晶金刚石制备的工艺方法均为异质外延法，而异质外延法生长金刚石必须具备质量高、纯净无污染且膜厚均匀性好的过渡层薄膜材料。原子层沉积（ALD）技术以N2为载气，将前驱体以脉冲方式交替通入腔体并在衬底表面的发生化学反应而形成沉积膜的一种方法（技术），残余物被N2清洗带走，保证了过渡层的成膜质量和纯净度，而且原子层沉积法还具有制备原子级薄膜，衬底温度在生长过程中可以进行精确调整，膜厚控制均匀等优势，与溅射、化学气相沉积等技术方案相比，可以获得致密性更强、结晶缺陷更少、稳定性更好的薄膜材料，是制备异质外延生长单晶金刚石过渡层的最佳选择。此外，在金刚石功率器件应用中，介质层常用于场板结构或者晶体管栅介质层。由于金刚石缺少本征氧化物，因此介质层通常也采用异质外延生长方式获得。 预购买原子层沉积系统一台，满足①能够沉积金属氧化物（如Al2O3, ZnO, TiO2, HfO2, Nb2O5,ZrO2等）；②能够沉积金属（如：Pt, Ru, Ir, Au）以及多元氧化物（如HfZrO、IGZO等）材料等；③薄膜厚度均匀性优于±2%。该设备厂家收到信用证后260天内发货，质保期货到验收合格之日起12个月，厂家负责安装及培训。设备购置后将针对单晶金刚石的制备与半导体应用等方面开展技术攻关，对学校学科建设及人才培养等起到推动作用，极大提升本实验室在国内外的影响力。并对国内相关技术的提升将起到较大的引领作用，极大地提高我国第三代半导体的核心竞争力。