A030699其他非金属矿物制品工业专用设备

原子层沉积系统， 数量：1套。 该设备用于先进集成电路如晶体管栅极电介质层、互联种子层和势垒层，光电元件的特殊纳米涂层和有机发光显示器的反湿涂层，电磁记录头涂层，以及铁电功能薄膜等的快速沉积； 技术要求：1.要求能够制备多种薄膜，如：Pt、Ru、Al2O3、La2O3、HfO2、Si3N4等材料，须提供满足要求的前驱体源名称、并配置相应的前驱体源管路和装置，并承诺设备交付时提供相应材料的工艺菜单，投标公司须提供相应的实验数据证明。2.样品最大尺寸为直径200mm，并能兼容处理直径200mm以下单片、三维样品的沉积，进样室配备涡轮分子泵，真空度可达10-5mbar。3.反应腔体应带独立的进气口，对应独立的进气管路系统，可满足至少6种前驱体同时从独立的进气口进入反应腔体，每一种前驱体通过一个独立入口与管路进入反应腔体，避免薄膜生长时前驱体相互间的交叉污染、CVD式提前反应以及由此带来的颗粒与孔洞入口堵塞等问题，确保薄膜不会生长在管路壁。4. 可实现热法与等离子体法沉积，通过升降马达自动切换，在同1个工艺中可交替使用。5. 配备帕尔帖半导体（Peltier）制冷系统，可单独控制每一个液体源的温度，用于将前躯体蒸汽冷却到环境温度低3-5度，源蒸汽流经温度较高的设备管件时，确保不会有冷凝发生，从而避免CVD式反应的源头。6. 有毒/腐蚀气体管路（例如NH3）需配有旁路bypass。3.1在工艺温度下，工艺腔体漏率<5 mTorr/min，Gas line漏率<1 mTorr/min，Loadlock 漏率<10 mTorr/min，金属沾污：钠、铝、钾、铬、铁、镍、铜、镁、锌、钛和钙等金属离子含量<5E10/cm2，颗粒控制： <100 @>0.25um；平均故障间隔时间MTBF >150hrs，平均恢复时间MTTR <4hrs，平均辅助间隔时间MTBA>100hrs; 交付时间要求：合同签订后6个月内。 交付地点要求:广州中山大学南校园； 售后服务要求（含培训）：到货安装调试完成后1个月内，有专业工程师免费现场提供一次系统的使用培训服务，直至用户相关人员熟练掌握为止，如对设备有疑问，用户可使用电话或邮件咨询，如有必要，供应商可提供相关技术交流与培训。保修期：质量保证期从验收完成之日起，原厂保修期不少于1年。保修期内，一切服务费用（包括零配件的费用及运费）由投标方承担；保修期内，投标方负责设备的所有相关软件在最新版本发布后免费升级；在保修期过后，卖方继续向买方提供及时有效的售后服务和零备件供应，卖方应承诺保证零备件供应期不少于5年。