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西安交通大学2021年6至12月政府采购意向-原子层沉积设备 详细情况
2021年06月10日 11:56 来源: 中国政府采购网 【打印】
原子层沉积设备 | |
项目所在采购意向: | 西安交通大学2021年6至12月政府采购意向 |
采购单位: | 西安交通大学 |
采购项目名称: | 原子层沉积设备 |
预算金额: | 133.000000万元(人民币) |
采购品目: | A9999其他不另分类的物品 |
采购需求概况 : | 采购用于薄膜生长的原子层沉积设备一台,主要指标如下:
1.设备可用于8寸及以下的平面样品的薄膜生长,反应腔高度不高于8mm。
2.反应腔采用双区独立加热,分别用于加热样品和腔室壁。基片加热温度最高350℃,控温精度±1℃。
3.反应腔室采用单壁设计,后期可升级增加Plasma,原位石英晶体微量天平,光谱椭偏仪,粉末样品沉积等组件。升级后可配备不少于3路等离子体工艺气体管路,并配有气体隔离阀及硬件互锁。
4.可以满足深宽比1000:1的深槽镀膜要求。
5.单片反应腔抽取真空速度须在1分钟内达到≤5x10-2Torr,充腔(大气压)时间≤1分钟。
6.配备不少于6路前驱源管路及源瓶,其中至少1路配有前驱源助推装置,可用于低蒸气压(0.01-0.1Torr)的前驱体。
7.配备臭氧发生器,连续工作情况下臭氧含量不低于100ng/ml。
8.工艺载气使用量单脉冲不大于50sccm。
9.前驱源脉冲时间可精确控制到0.015s,以TMA为例,其脉冲时间可短到0.015s。
10.除H2O源瓶以外的其他前驱源钢瓶均可加热到200℃,前驱源钢瓶容量不大于50毫升。
11.前驱源能达到的地方,如前驱源 |
预计采购时间: | 2021-07 |
备注: |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。