A02330300-电子工业生产设备

设备名称：新型存储器刻蚀系统，该设备主要用于新型存储器MRAM磁性隧道结的刻蚀及原位保护。磁性隧道结的刻蚀工艺对结的形貌和侧壁有非常高的要求，要求配置IBE和ICP刻蚀功能，同时由于MRAM薄膜结构复杂，同时有很多重金属，因此也不能与常规的刻蚀腔体混用。此外磁性隧道结要求刻蚀后必须在不暴露真空的情况下对磁性隧道结进行保护，所以必须对设备进行定制化采购才能满足项目要求。项目承担单位和参与单位目前无相关设备，需要进行定制化采购。设备具备IBE+ICP+刻蚀能力，同时磁性隧道结刻蚀后不曝露真空可以进行介质薄膜的CVD沉积能力，薄膜片内均匀性小于3%；薄膜片间均匀性小于3%，颗粒增加值<30个（@>0.2um）；刻蚀陡直度＞80度。采购数量1台。