A02052402真空应用设备

主要功能：主要用于压电铁电功能化薄膜的制备：1) 高精度成分与结构控制：通过不同靶材选择精确调控薄膜成分，调节溅射参数来优化晶体结构；2）低温沉积与异质外延生长：可以实现在低温下沉积高质量薄膜，兼容柔性衬底，同时可以在单晶衬底上实现晶格匹配，降低界面缺陷，提升材料极化强度；3）多层与梯度结构制备：可以逐层沉积铁电/压电多层膜，调控界面应力与电学性能，同时通过成分梯度设计，优化相界与压电响应；4）纳米结构与界面调控：通过制备纳米柱、纳米岛等结构，增强应变效应与表面活性，通过构建铁电/半导体异质结，研究界面极化对能带结构的调控。 数量：1套 主要指标：(1) 真空腔体：真空度≤1E-4Pa； (2) 基片加热系统：温度范围从室温到300℃，误差≤20℃； (3) 样品台：晶圆直径最大8英寸，均匀性≤5%； (4) 电源系统：射频（RF）电源，功率最高1000W； (5) 监测和控制系统：压力和流量控制精度可达1%。