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中国科学院微电子研究所2026年6月政府采购意向-深腔刻蚀机 详细情况
2026年02月26日 10:02 来源： 中国政府采购网 【打印】
| 深腔刻蚀机 | |
| 项目所在采购意向： | 中国科学院微电子研究所2026年6月政府采购意向 |
| 采购单位： | 中国科学院微电子研究所 |
| 采购项目名称： | 深腔刻蚀机 |
| 预算金额： | 250.000000万元(人民币) |
| 采购品目： | A02000000-设备_A02330000-电工、电子生产设备_A02330300-电子工业生产设备 |
| 采购需求概况 ： | 刻蚀设备主要用于新一代GaN射频器件背面通孔刻蚀工艺，高质量器件背孔结构可以提升器件的散热性能，降低源串联电感，进而提升器件频率性能。背孔通常深度在50-100μm，直径30-50μm，通孔与底部夹角不小于60°。衬底材料为SiC或金刚石。目前机台配置功率不够，对于大深宽比沟槽刻蚀能力不足，需要配置专用设备满足工艺需求。 |
| 预计采购时间： | 2026-06 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。