A032199-其他电工、电子专用生产设备

本设备与12英寸芯片至晶圆微米级混合键合一体机配套，为12英寸设备，对重构芯片晶圆实施低缺陷划片控制，使用本设备将超薄晶圆进行划片制备超薄低缺陷芯片，并严格控制划片过程中的缺陷积累，实现芯片至晶圆微米级混合键合后的成品率需求，低缺陷超薄芯片最小厚度为25μm，因此需要采用先切后磨的DBG工艺，划片过程需要对切割深度精确控制，以利于重构晶圆即芯片至晶圆混合键合以及后续多层芯片混合键合，该技术为成套技术核心设备，必须位于同一高洁净度试验室，项目需利用此设备开展超薄晶圆低缺陷划片工艺开发，支撑芯片到晶圆混合键合技术和工艺开发。