A02050999其他金属加工设备

采购电子束蒸发镀膜沉积系统一套，具体需求如下： [1]. 极限真空度：≤8×10-6 Pa。 [2]. 系统20分钟真空度：≤6.67×10-4Pa。 [3]. 停泵关机12小时后真空度：≤0.8Pa。 [4]. 电子束蒸镀样品台参数：可放置≥4″圆形基片，最高加热温度 800±1°C。 [5]. 离子清洗源，电压≥3000V，束流≥150mA。 [6]. 电子束偏向角270°，6穴坩埚，单坩埚尺寸≥Φ50mm ×Φ40mm ×25mm，有效蒸发角≥100°，实现带状和点状两种电子束。 [7]. 最大加速电压10KV，发射极电流1A，铝沉积速率≥1.5um/min。 [8]. 全自动控制系统，表示分解能0.001MHz，沉积速率可控制到0.01 nm/s. [9]. 分子泵和机械泵系统，分子泵抽速≥1200L/S，机械泵抽速≥8L/S。 [10]. 基片与蒸发源之间距离400mm～450mm可调。 [11]. 制备微纳结构基底尺寸：兼容4英寸、2英寸圆形基底，厚度0.2mm-1mm。 [12]. 支持基底类型：硅晶元，玻璃晶元，石英基底，金属基底等。 [13]. 紫外曝光系统（LED紫外曝光系统），最大光强≥300mW／cm2（强度可调）。 [14]. 基底托盘加热系统：加热温度室温至100°C。 [15]. 微纳结构制备过程中实现全自动压印和脱模过程，无需手动脱模。 [16]. 微纳结构制备精度：结构精度≤20nm，结构深宽比≥7.5:1。 [17]. 结构转印精度：压印结构与原始模具对比优于±5%。