A02000000-设备_A02330000-电工、电子生产设备_A02330300-电子工业生产设备

原子层沉积设备是一种可以将物质以单原子膜形式逐层沉积的工艺方法，通常用于沉积高k栅介质、栅金属等薄膜材料。与其他薄膜沉积方法相比，可以精确控制薄层厚度，具有组分可调和保型性好的优势。对于W波段GaN功率器件和防护器件而言，金属功函数的调节具有调控阈值电压、开启电压的重要作用。对于传统蒸发、溅射金属生长工艺，ALD工艺可以通过优化前驱体源的种类和设备生长参数来调节金属与氮化镓之间的势垒，进而调控GaN器件的阈值电压和欧姆接触。因此ALD设备在器件性能提升方面具有重要作用。