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华中科技大学2025年11至12月政府采购意向-原子层沉积设备 详细情况
2025年11月05日 17:49 来源： 中国政府采购网 【打印】
| 原子层沉积设备 | |
| 项目所在采购意向： | 华中科技大学2025年11至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | 华中科技大学 |
| 采购项目名称： | 原子层沉积设备 |
| 预算金额： | 170.000000万元(人民币) |
| 采购品目： | A02109900其他仪器仪表 |
| 采购需求概况 ： | 系统主要由真空系统、前驱体系统、工艺系统、预真空腔系统(Loadlock)、控制系统以及安全系统组成。
参数：
1. 适用于8寸及以下晶圆的原子层沉积，可以实现AZO、HfO2、Al2O3、SnO2等半导体材料的高可控性生长。
2. 薄膜不均匀性：Al2O3（≥20 nm，≤2%）1-sigma计算方式，8寸晶圆除去边缘5mm。
3. 采用环绕辐射加热模式，使反应腔室沉积温度高达450℃，温度均匀性达到±1.5%。
4. 包含真空系统、前驱体系统、工艺系统、预真空腔系统(Loadlock)、控制系统以及安全系统。
5. 采用双层内外腔结构，反应在内腔体完成，内腔可以单独拆卸；
6. 反应腔极限真空：要求腔室极限真空≤5×10-3Torr，腔体真空漏率：≤2mTorr/min
7. 反应腔尾气处理系统：配备独立颗粒捕捉器，能够捕捉0.3 mm及以上的颗粒物质
8. 前驱源管路分别对应反应腔体上6个完全独立的前驱体源入口。
9. ALD阀：响应时间≤5ms；质量流量计（MFC）：精度0.1%FS
10. 配置臭氧发生器，臭氧浓度≥120g/m3
11. 加热源系统：加热源系统3路。源瓶、管路加热套，最高可加热至200℃温度控制精度：±1℃；制冷源系统：制冷源系统3路。温度控制精度：±1℃；
12. 不同材料工艺切换之间，对于腔体有特殊处理，保证不同材料之间不会串扰。 |
| 预计采购时间： | 2025-12 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。