A02000000-设备_A02330000-电工、电子生产设备_A02330300-电子工业生产设备

传统ICP刻蚀工艺由于RF功率较大，高能活性离子或自由基在刻蚀去除材料的同时，也会使材料浅表层存在大量的刻蚀损伤，如悬挂键、失配的晶格结构、残留的刻蚀副产物等。这些会严重影响器件性能。低损伤刻蚀技术是解决这一问题的关键。原子层刻蚀技术主要通过两步法实现材料去除，第一步先对材料表面活化，是表层材料键能降低。第二步通过低能量的活性粒子刻蚀表层材料，由于活性粒子的能量低，只能反应去除表面活化的材料。因此相较于ICP刻蚀工艺可以极大降低刻蚀损伤的引入，提升接触电极区材料表面质量。