A02330300电子工业生产设备

1、购置总量：1套 2、发货日期：签订合同8个月内发货 3、技术目标： 该设备采用半导体刻蚀机的成熟技术，独特设计的等离子体源，实现了对腔室内等离体密度的均匀控制，满足硅高深宽比刻蚀工艺的要求，具有稳定可靠的工艺性能、宽阔的工艺窗口和良好的工艺兼容性，主要用于200mm及以下尺寸晶片的高深宽比硅刻蚀。可应用于MEMS、先进封装等领域。 4、配制要求： (1).射频系统：采用双射频源，射频源功率量程≥2800W；偏压功率≥ 400W，偏压射频带脉冲功能； (2).进气系统：具备中心进气加边缘进气的方式，具备快速切换功能；气体数量包括但不限于SF6、C4F8、Ar、O2等8路，气体量程 ≥500 sccm； (3).真空系统：本底真空度≤ 0.5mT、腔室漏率≤ 1mT/min；控压能力2mT~250mT； (4).下电极系统：卡盘方式采用双极静电卡盘，吸附电压不小于5000V； (5).腔室系统：腔室加热能力 ≥100℃；具备4、6、8寸兼容； (6).分子泵抽速≥2200L/S，干泵抽速≥500 m3/Hr； (7).Chiller 控温范围＞ -20℃~40℃； (8).软件及其它功能：具备权限管理、工艺配方管理、参数管理、自动工艺、手动操作、设备维护、报警管理、自动记录、实时数据、部件生命周期管理功能。系统具备完备的报警和安全互锁功能。 5、技术服务 (1)卖方应在买方所在地提供仪器的安装、校验和试运转，并提供用户硬件测试报告及工艺验收报告详细数据。 (2)对于新的材料，厂家提供免费工艺制程的支持服务，并分享相关工艺数据库信息。 (3)技术培训：在用户现场对用户进行设备操作及维护培训。 (4)保修期：提供1年免费保修，保修期自验收签字之日起计算。 (5)维修响应时间：卖方应在24小时内对用户的服务要求做出响应，如电话沟通不能解决，维修人员应在5个工作日内到达用户现场解决。